化学沉淀PbS光电薄膜制备技术

技术领域:   先进制造与自动化

关  键  词:   化学,沉淀,pbs,光电,薄膜,制备,技术

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项目简介合作计划技术信息
项目简介

【技术开发单位】中国空空导弹研究院

【技术概述】Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体大多属于窄带半导体,在制造红外辐射探测器和激光器等方面占有重要地位,广泛应用的有铅的硫属化合物薄膜。硫化铅(PbS)作为Ⅳ-Ⅵ族半导体中的重要一员,利用该类多晶薄膜材料的内光电效应制成本征光电导器件。PbS 薄膜的制备主要是在一定的化学环境条件下,采用Pb2+和S2-化学沉淀制备而成,一般为多晶薄膜结构。PbS 薄膜经一定的气氛条件下敏化,具有光电特性,根据其光电特性制备成光电器件。应用于红外制导、红外预警、红外测温、光谱分析、红外天文观测等军民两用领域。

【主要技术指标】

(1)标称电压:1.2V。 1、暗电阻(Kohm):≥200

(2)探测率D*(cm*Hz*W-1): ≥3*108

【先进程度】国内领先

【技术状态】批量生产、成熟应用阶段

【适用范围】红外制导、红外预警、红外测温、光谱分析、红外天文观测等军民两用领域

【获奖情况】无。

【专利状态】申请发明专利3项。

【合作方式】技术转让 许可使用

【预期效益】PbS光电薄膜广泛应用于红外制导、红外预警、红外测温、光谱分析、红外天文观测等军民两用领域,具有广泛的社会效益。采用化学沉淀制备的PbS光电薄膜,以其制备工艺简单、阻值适中、响应率高、可室温工作、使用方便、价格低廉等诸多优点,具有广泛的应用市场和较高的经济效益。